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【多选题】
压力容器综合分类中，介质的危害性是一个重要分类依据。关于介质的危害性，下列哪种描述是正确的。
A.
指介质外泄与人体接触引起职业性慢性危害的严重程度；
B.
对容器材料的腐蚀性越强，其介质的危害程度就越高；
C.
常用介质采用毒性程度及爆炸危害程度两个指标来表示介质的危害性；
D.
根据介质的危害程度常把介质分为第一组介质和第二组介质；
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举一反三
【简答题】某采用请求分页式存储管理的系统,若逻辑地址中的页号用 6 位表示,页内地址用 10 位表示。若某进程最多需要 5 页数据存储空间,操作系统采用固定分配局部置换策略为此进程分配 3 个物理块。当进程执行到时刻 400 时,需要访问逻辑地址为 0A6B 和 12CD ( 16 进制)的数据,请回答:( 1 )一个进程最多可以有几页?每一页的长度为多少? ( 2 ) 0A6B 对应的物理地址是多少(用 ...
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【单选题】P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。 A.正电 B.负电 C.中性 D.正负都有
A.
正电
B.
负电
C.
中性
D.
正负都有
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【单选题】P型半导体中空穴多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为( )。
A.
正电
B.
负电
C.
中性
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【单选题】P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为( )。
A.
负电
B.
正电
C.
电中性
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【单选题】P型导体中空穴多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为( )
A.
正电
B.
负电
C.
电中性
D.
不明确
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【简答题】某页式虚拟存储管理系统中,页面大小为1KB,一进程分配到的内存块数为3,并按下列地址顺序引用内存单元:3635,3632,1140,3584,2892,30,0040,2148,1700,2145,3209,0000,1102,1100.如果上述数字均为十进制数,而内存中尚未装入任何页,请: (1)给出使用LRU算法时的缺页次数,并与使用FIFO算法时的情况进行比较。 (2)用流程图的方式解释...
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【单选题】P 型半导体中空穴多于自由电子,则 P 型半导体呈现的电性为( )。
A.
正电
B.
负电
C.
电中性
D.
不确定
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【单选题】P型半导体中空穴多于自由电子, 则P型半导体呈现的电性为( ). A.正电; B.负电; C. 中性
A.
正电
B.
负电
C.
   中性
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【简答题】页式存储管理中,进行存储分配时,以 为单位进行分配,采用不连续的分配办法,作业信息可以按 分散在主存不连续的 中
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【简答题】页式存储管理中,进行存储分配时,以__________为单位进行分配,作业信息可以按__________分散在主存不连续的块中。
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【单选题】P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。 A.正电 B.负电 C.中性 D.正负都有
A.
正电
B.
负电
C.
中性
D.
正负都有
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【单选题】P型半导体中空穴多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为( )。
A.
正电
B.
负电
C.
中性
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【单选题】P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为( )。
A.
负电
B.
正电
C.
电中性
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【单选题】P型导体中空穴多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为( )
A.
正电
B.
负电
C.
电中性
D.
不明确
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【简答题】某页式虚拟存储管理系统中,页面大小为1KB,一进程分配到的内存块数为3,并按下列地址顺序引用内存单元:3635,3632,1140,3584,2892,30,0040,2148,1700,2145,3209,0000,1102,1100.如果上述数字均为十进制数,而内存中尚未装入任何页,请: (1)给出使用LRU算法时的缺页次数,并与使用FIFO算法时的情况进行比较。 (2)用流程图的方式解释...
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【单选题】P 型半导体中空穴多于自由电子,则 P 型半导体呈现的电性为( )。
A.
正电
B.
负电
C.
电中性
D.
不确定
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【单选题】P型半导体中空穴多于自由电子, 则P型半导体呈现的电性为( ). A.正电; B.负电; C. 中性
A.
正电
B.
负电
C.
   中性
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【简答题】页式存储管理中,进行存储分配时,以 为单位进行分配,采用不连续的分配办法,作业信息可以按 分散在主存不连续的 中
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【简答题】页式存储管理中,进行存储分配时,以__________为单位进行分配,作业信息可以按__________分散在主存不连续的块中。
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