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填入 电力 MOSFET 的缺点。 器件 优点 缺点 IGBT 开关速度较高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态电压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力 MOSFET ,电压、电流容量不及 GTO GTR 电流大,能力强,饱和电压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有调制效应,其能力很强 电流关断增益很小,门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电力 MOSFET 开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题