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【简答题】
简述晶粒生长与二次再结晶的特点,以及造成二次再结晶的原因和防止二次再结晶的方法。
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参考答案:
参考解析:
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皮皮学刷刷变学霸
举一反三
【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
UGS小于U GS(th)
B.
UGS大于U GS(th)
C.
UGS小于U GS(off)
D.
UGS大于U GS(off)
【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
uGS大于UGS(th)
B.
uGS小于UGS(th)
C.
uGS大于UGS(off)
D.
uGS小于UGS(off)
【单选题】在如图所示电路中,已知稳压管 DZ1 、 DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 7V ,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。
A.
1
B.
6
C.
13
D.
7
【单选题】在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。
A.
1V
B.
6V
C.
13V
D.
7V
【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
UGS>VT
B.
UGS
C.
UGS>VP
D.
UGS
【单选题】在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。【图片】
A.
6V
B.
7V
C.
5V
D.
1V
【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
u G S 大于 U GS ( th ) U G S ( t h )
B.
u G S 小于 U GS ( th )
C.
u G S 大于 U GS ( off )
D.
u G S 小于 U GS ( off )
【单选题】在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。【图片】
A.
1V
B.
6V
C.
13V
D.
7V
【单选题】在如图所示电路中,已知稳压管 DZ1 、 DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 7V ,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。
A.
6
B.
7
C.
5
D.
1
【简答题】选择正确答案填入空内: 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
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