在半导体制造中,通常使用湿法刻蚀去除晶体背面的硅,蚀刻速率是该过程中需要重点关注的特征。为评估两种不同的蚀刻溶液,实验人员随机选择了8个晶片,将每个晶片分为两半,其中一半用溶液1蚀刻,另一半用溶液2蚀刻,且晶片在不同溶液之间的分配是随机的。下列是观察到的蚀刻速率(单位:密尔/分)。溶液1:9.9,9.4,10.0,10.3,10.6,10.3,9.3,9.8。溶液2:10.2,10.0,10.7,9.5,10.2,9.6,9.4,10.3。检验假设α=0.05,则当进行成对数据【图片】检验时,检验统计量【图片】等于