皮皮学，免费搜题
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【单选题】
当砼预制桩的设计间距小于4 倍桩直径(或边长)时,宜采用的打桩顺序为( )。
A.
逐排打设
B.
自中央向四周打设
C.
自四周向中间打设
D.
由两边向中央对称打设
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参考答案：
参考解析：
知识点：
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..
皮皮学刷刷变学霸
举一反三
【单选题】下列说法不正确的是（　　）
A.
纯净的SiO 2 可用于制造计算机芯片
B.
沙子、石英、光导纤维的主要成分是SiO 2
C.
氢氟酸可用于刻蚀玻璃
D.
用于日本福岛核电站泄漏堵漏的物质是水玻璃，它是Na 2 SiO 3 的水溶液
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【单选题】化学在生产和日常生活中有着重要的应用。下列叙述不正确的是
A.
晶体硅是光导纤维、芯片的主要成分
B.
在海轮外壳上镶嵌锌块，会减缓船体的锈蚀
C.
工业上用石灰对煤燃烧后的烟气进行脱硫，并能制取石膏
D.
氯气是合成农药、染料和药品的重要原料
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【单选题】存储当前运行配置文件的存储器为 ( )
A.
RAM
B.
ROM
C.
NVRAM
D.
FLASH
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【单选题】研磨缺陷之一是研磨( )。
A.
位置不准
B.
形状不准
C.
尺寸不准
D.
表面不光洁
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【单选题】日常运作总是在很短时间内完成,而项目则必须要跨越数年或数十年,对否?
A.
是
B.
否
C.
无
D.
空
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【单选题】同源染色体分离和非同源染色体自由组合
A.
同时发生于减数分裂后期I
B.
同时发生于减数分裂后期Ⅱ
C.
同时发生于减数分裂后期I和后期Ⅱ
D.
分离发生于减数分裂后期I,自由组合发生于减数分裂后期Ⅱ
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【单选题】研磨缺陷之一是研磨( )。
A.
尺寸不准
B.
形状不准
C.
位置不准
D.
表面不光洁
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【单选题】同源染色体分离和非同源染色体自由组合
A.
同时发生于减数分裂后期I
B.
同时发生于减数分裂后期Ⅱ
C.
同时发生于减数分裂后期I和后期Ⅱ
D.
分离发生于减数分裂后期I，自由组合发生于减数分裂后期Ⅱ
E.
分离发生于减数分裂后期I，自由组合发生于减数分裂后期I和后期Ⅱ
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【简答题】防止放疗病人皮肤损伤的措施。
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【单选题】研磨缺陷之一是研磨( )。
A.
表面拉毛
B.
形状不准
C.
位置不准
D.
尺寸不准
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A.
纯净的SiO 2 可用于制造计算机芯片
B.
沙子、石英、光导纤维的主要成分是SiO 2
C.
氢氟酸可用于刻蚀玻璃
D.
用于日本福岛核电站泄漏堵漏的物质是水玻璃，它是Na 2 SiO 3 的水溶液
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【单选题】化学在生产和日常生活中有着重要的应用。下列叙述不正确的是
A.
晶体硅是光导纤维、芯片的主要成分
B.
在海轮外壳上镶嵌锌块，会减缓船体的锈蚀
C.
工业上用石灰对煤燃烧后的烟气进行脱硫，并能制取石膏
D.
氯气是合成农药、染料和药品的重要原料
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【单选题】存储当前运行配置文件的存储器为 ( )
A.
RAM
B.
ROM
C.
NVRAM
D.
FLASH
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【单选题】研磨缺陷之一是研磨( )。
A.
位置不准
B.
形状不准
C.
尺寸不准
D.
表面不光洁
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【单选题】日常运作总是在很短时间内完成,而项目则必须要跨越数年或数十年,对否?
A.
是
B.
否
C.
无
D.
空
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【单选题】同源染色体分离和非同源染色体自由组合
A.
同时发生于减数分裂后期I
B.
同时发生于减数分裂后期Ⅱ
C.
同时发生于减数分裂后期I和后期Ⅱ
D.
分离发生于减数分裂后期I,自由组合发生于减数分裂后期Ⅱ
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【单选题】研磨缺陷之一是研磨( )。
A.
尺寸不准
B.
形状不准
C.
位置不准
D.
表面不光洁
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【单选题】同源染色体分离和非同源染色体自由组合
A.
同时发生于减数分裂后期I
B.
同时发生于减数分裂后期Ⅱ
C.
同时发生于减数分裂后期I和后期Ⅱ
D.
分离发生于减数分裂后期I，自由组合发生于减数分裂后期Ⅱ
E.
分离发生于减数分裂后期I，自由组合发生于减数分裂后期I和后期Ⅱ
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【简答题】防止放疗病人皮肤损伤的措施。
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【单选题】研磨缺陷之一是研磨( )。
A.
表面拉毛
B.
形状不准
C.
位置不准
D.
尺寸不准
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