皮皮学，免费搜题
登录
搜题
【单选题】
右图是三根相同长度和材料的长导体的横截面,这些正方形横截面的边长如图所示。导体B能贴身地嵌入导体A,且导体C能贴身地嵌入导体B。若将图中的导体A;B;C或其组合A+B;B+C;A+B+C沿其长度计算电阻,则以下说法错误的是:
A.
导体A、B、C电阻大小相同
B.
导体组合A+B；B+C的电阻大小相同
C.
导体组合A+B+C的电阻最小
D.
导体组合A+B+C的电阻大于导体A的电阻
拍照语音搜题，微信中搜索"皮皮学"使用
参考答案：
参考解析：
知识点：
.
..
皮皮学刷刷变学霸
举一反三
【单选题】(速卖通,2018)若在速卖通平台发布未经注册商标权人许可,在同一种商品上使用与其注册商标相同或相似的商标,则下列说法正确的有
A.
该行为属于商标侵权
B.
该行为属于著作权侵权
C.
该行为属于专利权侵权
D.
该行为属于知识产权侵权严重违规,一次违规就会关闭账号
查看完整题目与答案
【简答题】氮碳共渗的方法主要有 和 ,其目的是提高工件的 、 和
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 10k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
B.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
C.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
D.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
查看完整题目与答案
【单选题】在()中,一切物理量都必须结合具体的观测手段才能定义。
A.
客观世界
B.
抽象世界
C.
相对论
D.
量子理论
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
B.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
C.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
D.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1kW。当 V DD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D分别为 和 ;当 V DD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D分别为 和 。
A.
1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA
B.
10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA
C.
10mA,0.93mA;1mA,0.03mA
D.
10mA,1mA;9.3mA,3 mA
查看完整题目与答案
【判断题】我们通常把这个对数称为自然对数。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】若在速卖通平台发布未经注册商标权人许可,在同一种商品上使用与其注册商标相同或相似的商标,则下列说法正确的有
A.
该行为属于商标侵权
B.
该行为属于著作权侵权
C.
该行为属于专利权侵权
D.
该行为属于知识产权侵权严重违规,一次违规就会关闭账号
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
B.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
C.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
D.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
B.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
C.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
D.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
查看完整题目与答案
相关题目：
【单选题】(速卖通,2018)若在速卖通平台发布未经注册商标权人许可,在同一种商品上使用与其注册商标相同或相似的商标,则下列说法正确的有
A.
该行为属于商标侵权
B.
该行为属于著作权侵权
C.
该行为属于专利权侵权
D.
该行为属于知识产权侵权严重违规,一次违规就会关闭账号
查看完整题目与答案
【简答题】氮碳共渗的方法主要有 和 ,其目的是提高工件的 、 和
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 10k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
B.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
C.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
D.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
查看完整题目与答案
【单选题】在()中,一切物理量都必须结合具体的观测手段才能定义。
A.
客观世界
B.
抽象世界
C.
相对论
D.
量子理论
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
B.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
C.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
D.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1kW。当 V DD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D分别为 和 ;当 V DD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D分别为 和 。
A.
1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA
B.
10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA
C.
10mA,0.93mA;1mA,0.03mA
D.
10mA,1mA;9.3mA,3 mA
查看完整题目与答案
【判断题】我们通常把这个对数称为自然对数。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】若在速卖通平台发布未经注册商标权人许可,在同一种商品上使用与其注册商标相同或相似的商标,则下列说法正确的有
A.
该行为属于商标侵权
B.
该行为属于著作权侵权
C.
该行为属于专利权侵权
D.
该行为属于知识产权侵权严重违规,一次违规就会关闭账号
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
B.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
C.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
D.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
查看完整题目与答案
【单选题】设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 1k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。
A.
10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mA
B.
1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mA
C.
10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mA
D.
10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
查看完整题目与答案