对于增强型NMOSFET的亚阈值电流描述错误的是()
A.
当外加栅极电压使p-si衬底的表面势满足 时,P-Si衬底表面产生弱反型,表面电子浓度小于表面处空穴浓度,也小于受主离子的浓度
B.
当外加栅极电压使p-si衬底的表面势满足 时,P-Si衬底表面产生弱反型,当 时,表面处的电子浓度可表示为
C.
当外加栅极电压使p-si衬底的表面势满足 时,P-Si衬底表面产生弱反型,当 且很小时,在沟道y=0处,电子浓度为 ,在沟道y=L处,电子浓度为
D.
当外加栅极电压使p-si衬底的表面势满足 时,P-Si衬底表面产生弱反型,当 且很小时,沟道里的电子会因为浓度梯度产生扩散电流,由于电子浓度很小,漂移电流可忽略