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皮皮学刷刷变学霸
举一反三
【多选题】关于施主杂质和施主能级,以下表述正确的是:
A.
V族元素在Si和Ge中一般作为施主杂质，这是因为它们比Si和Ge多一个价电子，这个多余的价电子很容易挣脱束缚成为导带电子
B.
V族杂质在Si和Ge中释放电子的过程称为施主电离，施主电离所需的能量称为施主电离能，这个能力比禁带宽度要小得多
C.
被施主杂质束缚的电子对应的能量状态称为施主能级，它位于禁带中，但是距离导带底很近，它和导带底之间的差距即为施主电离能
D.
在纯净半导体中掺入施主杂质，杂质电离后导带中导电电子增多，半导体的导电能力增强，这时半导体中只有电子没有空穴，称为n型半导体
【简答题】N型半导体中掺入的杂质一般为( )价元素,多子为( ),少子为( ),常常将掺入的杂质称为( )杂质,与周围形成共价键后固定在晶格内的是( )离子(此处填正或者负)。
【简答题】N型半导体中掺入的杂质一般为( )价元素,多子为( ),少子为( ),常常将掺入的杂质称为( )杂质,与周围形成共价键后固定在晶格内的是( )离子(此处填正或者负)。