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【多选题】
以下关于天线的水平波瓣、垂直波瓣的说法,正确的是哪些()。
A.
在天线的水平面(垂直面)上,相当于主瓣最大点功率增益下降3dB的两点之间所张的角度,定义为天线的水平(垂直)波瓣宽度
B.
天线辐射的大部分能量都集中在波瓣宽度内,波瓣宽度的大小反映了天线的辐射集中程度
C.
全向天线的水平波瓣宽度为360度,而定向天线的常见水平波瓣宽度有20、30、65、90、105、120、180度等多种
D.
天线的垂直波瓣宽度一般在3-80度之间,基站天线采用较多的是5-18度之间的天线
E.
天线的增益是和天线的水平和垂直波瓣宽度密切相关,一般来说,波瓣宽度越小,增益越大
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参考答案:
参考解析:
知识点:
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..
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举一反三
【多选题】晶体管工作在饱和区时发射结 偏;集电结 偏
A.
B.
【单选题】Their talks next week are expected to focus______ business management. (B-16-12-25)
A.
on
B.
with
C.
in
D.
of
【单选题】晶体管工作在饱和区时发射结正偏;集电结(     )偏。
A.
B.
C.
D.
【简答题】Part IIVocabulary & Sturcture(10 minutes)Directions: This part is to test your ability to construct correct and meaningful sentences. It consists of 2 sections.Section ADirections: In this section, th...
【判断题】发明专利和实用新型专利的保护期限为二十年,外观设计的保护期限为十年,其保护期限均已国家专利行政部门核准之日起计算。
A.
正确
B.
错误
【判断题】我国发明专利权的保护期限为二十年,保护期间的起算日从优先权日起计算。
A.
正确
B.
错误
【单选题】我国发明专利和实用新型专利的保护期限分别为几年?( )
A.
十年、五年
B.
二十年、十年
C.
三十年、十五年
【简答题】晶体管工作在饱和区时发射结 偏;集电结 偏
【单选题】Part II Vocabulary & Sturcture (10 minutes) Directions: This part is to test your ability to construct correct and meaningful sentences. It consists of 2 sections. Section A Directions: In this secti...
A.
on
B.
with
C.
in
D.
of
【单选题】发明专利权的保护期限为(),自申请日起计算。
A.
十年
B.
十五年
C.
二十年
D.
没有明确规定
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