锑化铟是窄禁带半导体材料( Eg=0.18eV) ,它的相对介电常数为 17 ,电子有效质量 m*=0.015m 0 ,试估算:施主杂质的电离能,施主上电子的轨道半径。估算掺杂浓度达到多少数量级时,杂质能级将形成能带? 2. 如果所选取的半导体晶体的重量增大一倍,则: ( 1 )区的体积是否会发生变化? ( 2 )区中每个状态所占的体积是否会发生变化? ( 3 )区中状态数是否会发生变化? ( 4 )能带宽度是否会发生变化? ( 5 )能带中的能级密度是否发生变化 ? 在以上问题中,如果发生变化,则变化多少?