下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS = 0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是( )。 和
A.
UDS=0,UGS比较小时,由于栅极和衬底间的电场效应,将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥,剩下一些不能移动的负离子,从而形成耗尽层,漏源之间形成不了导电沟道。
B.
右图为当UGS增大到某值时,在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道,称为N型反型层。
C.
刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS,称为开启电压 UGS(TH)。
D.
UGS大于开启电压后,UGS越大,导电沟道越宽,沟道电阻就越小,反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS,就可以形成漏极电流ID。