【简答题】练习2 正三棱锥底面边长为6
,斜高是4,则棱锥的侧面积是_______。
【单选题】China’s growth is not _____ threat to others. On _____ contrary, it will bring more opportunities to the world.
【单选题】正三棱锥的底面边长为a,高为 6 6 a ,则此棱锥的侧面积等于( )
【简答题】一N沟道EMOSFET组成的电路如图3-11所示,要求场效应管工作于饱和区,I D =1mA,V DSQ =6V,已知管子参数为 ,V GS(th) =2V,设λ=0,试设计该电路。
【简答题】China’s rapid growth is not___threat to others.On ___contrary,it will bring more opportunities to the world. A /;the B a;/ C the;/ D a;the
【单选题】正三棱锥的高为2,侧棱长为4,则正三棱锥的底面边长为( )
【判断题】在火焰原子吸收光谱仪的维护和保养中,为了保持光学元件的干净,与应经常打单色器箱体盖板,用擦镜纸擦拭光栅和准直镜。( )
【判断题】在火焰原子吸收光谱仪的维护和保养中,为了保持光学元件的干净,应经常打开单色器箱体盖板,用擦镜纸擦拭栅和准直镜()
【单选题】电路如图10-11所示,已知电流i=3⺁2sinwt A,电流i 2 =4⺁2sin(wt+90 0 )A,电流表读数为__。
【简答题】N沟道增强型场效应管的电路如图1.5.11所示。已知管子的工艺参数k=0.08mA/V2,开启电压VTH=3V,沟道长度调制电压为一100V。试计算IDQ和VDSQ的值,并画出小信号等效电路,求gm和rds的值。