皮皮学，免费搜题
登录
搜题
【单选题】
(版《文学理论》) 根据马克思主义文学理论,( )对文学艺术的发展具有最终的决定。
A.
意识形态
B.
生产劳动
C.
生产关系
D.
经济基础
拍照语音搜题，微信中搜索"皮皮学"使用
参考答案：
参考解析：
知识点：
.
..
皮皮学刷刷变学霸
举一反三
【单选题】内蒙古人均耕地面积居中国()位。
A.
第一
B.
第二
C.
第三
D.
第四
查看完整题目与答案
【单选题】对提高钢材强度和硬度有不良影响的元素是( )。【建筑师2013-025】
A.
硅
B.
锰
C.
磷
D.
碳
查看完整题目与答案
【单选题】对提高钢材强度和硬度有不良影响的元素是( )。
A.
.硅
B.
碳
C.
磷
D.
锰
查看完整题目与答案
【多选题】在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？
A.
金属和 n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.
金属和 p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.
金属和 n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.
金属和 p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
查看完整题目与答案
【简答题】N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子, P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说 N 型半导体带负电, P 型半导体带正电。上述说法对吗?为什么? 2 、 某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚 1 12V 、管脚 2 3V 、管脚 3 3.7V ,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
查看完整题目与答案
【单选题】26内蒙古人均耕地面积居中国( )位。
A.
第一
B.
第二
C.
第三
D.
第四
查看完整题目与答案
【单选题】弱酸性药在碱性尿液中
A.
解离多，再吸收多，排泄慢
B.
解离少，再吸收多，排泄慢
C.
解离多，再吸收少，排泄快
D.
解离少，再吸收少，排泄快
E.
解离少，再吸收少，排泄慢
查看完整题目与答案
【单选题】对提高钢材强度和硬度产生不良影响的元素是：
A.
桂
B.
碳
C.
磷
D.
猛
查看完整题目与答案
【单选题】弱酸性药在碱性尿液中
A.
解离少,再吸收多,排泄慢
B.
解离少,再吸收少,排泄快
C.
解离多,再吸收多,排泄慢
D.
解离多,再吸收少,排泄快
E.
解离多,再吸收多,排泄快
查看完整题目与答案
【多选题】由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（ ）。
A.
n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B.
n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C.
p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D.
p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
查看完整题目与答案
相关题目：
【单选题】内蒙古人均耕地面积居中国()位。
A.
第一
B.
第二
C.
第三
D.
第四
查看完整题目与答案
【单选题】对提高钢材强度和硬度有不良影响的元素是( )。【建筑师2013-025】
A.
硅
B.
锰
C.
磷
D.
碳
查看完整题目与答案
【单选题】对提高钢材强度和硬度有不良影响的元素是( )。
A.
.硅
B.
碳
C.
磷
D.
锰
查看完整题目与答案
【多选题】在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？
A.
金属和 n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.
金属和 p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.
金属和 n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.
金属和 p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
查看完整题目与答案
【简答题】N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子, P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说 N 型半导体带负电, P 型半导体带正电。上述说法对吗?为什么? 2 、 某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚 1 12V 、管脚 2 3V 、管脚 3 3.7V ,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
查看完整题目与答案
【单选题】26内蒙古人均耕地面积居中国( )位。
A.
第一
B.
第二
C.
第三
D.
第四
查看完整题目与答案
【单选题】弱酸性药在碱性尿液中
A.
解离多，再吸收多，排泄慢
B.
解离少，再吸收多，排泄慢
C.
解离多，再吸收少，排泄快
D.
解离少，再吸收少，排泄快
E.
解离少，再吸收少，排泄慢
查看完整题目与答案
【单选题】对提高钢材强度和硬度产生不良影响的元素是：
A.
桂
B.
碳
C.
磷
D.
猛
查看完整题目与答案
【单选题】弱酸性药在碱性尿液中
A.
解离少,再吸收多,排泄慢
B.
解离少,再吸收少,排泄快
C.
解离多,再吸收多,排泄慢
D.
解离多,再吸收少,排泄快
E.
解离多,再吸收多,排泄快
查看完整题目与答案
【多选题】由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（ ）。
A.
n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B.
n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C.
p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D.
p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
查看完整题目与答案