描述溅射现象的主要参数是 和 。 溅射产额 决定接收到的二次离子的多少,它与 、 、 均有一定的关系,并与靶原子的原子序数、晶格取向有关。 二次离子质谱仪的主要工作模式有 和 。 可以获得真正表面单层信息, 可以进行剖面分析。 由于其他成分的存在,同一元素的二次离子产额会发生变化,这就是 SIMS 的“ ”,表面覆氧后,二次离子产额 。 质谱的定量分析是在质谱图上,谱线的峰值所对应的离子流强度代表了 , 从而进行杂质分析。 一定能量的离子轰击固体表面引起表面原子、分子或原子团的二次发射,即离子溅射。溅射的粒子中 是二次离子。利用 接收分析二次离子就得到二次离子质谱。 分析硅材料的纯度及含有哪些杂质,可以采用的检测技术有 。