下图所示电路中,若已知P沟道增强型MOSFET的V GS(th) =-1.5V,K p =μ p C ox W/(2L)= 80μA/V 2 ,沟道长度调制效应忽略不计,其他电路参数如图中所示。则可求出I DQ 、V GSQ 、g m 、r ds 的值分别约为( )。
A.
0.37 mA,3.63V,0.34mS,∞;
B.
0.37 mA,-3.63V,0.34mS,10kΩ;
C.
0.37 mA,-3.63V,0.34mS,∞;
D.
0.37 mA, 3.63V,-0.34mS,10kΩ。