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【单选题】
关于记忆障碍,下列说法错误的是()
A.
记忆障碍往往是颅脑损伤患者最常见的症状
B.
不同性质和不同程度的脑损伤可引起不同类型的记忆障碍
C.
记忆障碍可表现为瞬时记忆障碍、短期记忆障碍、近期记忆障碍及长期记忆障碍等
D.
额叶损害会引起短期记忆障碍
E.
记忆障碍与颞叶损伤无关
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参考解析:
知识点:
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皮皮学刷刷变学霸
举一反三
【单选题】磁石入汤剂的内服剂量是 A. 1 ~3g B. 3 ~ 10g C. 0. 1 ~0. 5g D. 0. 5 ~ 1. 5g E.9~30g
A.
磁石入汤剂的内服剂量是 A. 1 ~3g
B.
3 ~ 10g
C.
0. 1 ~0. 5g
D.
0. 5 ~ 1. 5g E.9~30g
【判断题】复合泊松过程一定是计数过程。
A.
正确
B.
错误
【单选题】神经科学家早期在脑内发现一类只有突触结构而没有信息传递功能的突触,通常称这种突触为沉默突触。这种沉默突触在一定条件下可转化为有功能的突触,这种转化可能是突触成熟及学习和记忆的基础。我国科学家首次发现,增加突触前神经元的活动,如通过脉冲信号刺激,可以将这种沉默突触快速转化为有功能的突触。也就是说,“哑巴”也能“开口说话”。 这段话表明( )
A.
科学家发现的沉默突触可以让“哑巴”也能“开口说话”
B.
我国科学家发现沉默突触没有信息传递的功能
C.
一旦沉默突触转化为有功能的突触就能使“哑巴”也能“开口说话”
D.
沉默突触通过脉冲信号刺激可以转化成为有功能的突触
【单选题】下图为神经细胞的一部分膜结构,下列叙述错误的是 [     ]
A.
若此图为突触后膜局部结构,则神经递质可被①识别
B.
静息电位的形成与膜上的②、⑤等载体有关,A侧为正电位,B侧为负电位
C.
若此图为突触后膜局部结构,则兴奋经过此处时的信号转换是:电信号→化学信号→电信号
D.
若此图是突触后膜局部结构,则动作电位产生时,Na + 可通过结构②由A侧进入B侧
【简答题】突触的结构可分为 ____________ 、 ___________-- 和 ___________-3 部分。
【简答题】如图为突触的结构,在a、d两点连接一个测量电位的灵敏电流计。据图回答: (1)图中的结构含有____________个突触。 (2)如果B受到刺激,C会兴奋;如果A、B同时受到刺激,C不会兴奋。由此可以判断,A、B释放的递质的性质依次是___________、___________。 (3)神经递质通过突触小泡与突触前膜的融合释放到突触间隙中,然后与突触后膜上相应的“受体”结合引起反应,“受体”的...
【简答题】突触的结构可分为_________,_________和_________三部分。
【单选题】由造血干细胞分化而来但失去自我更新能力的过渡性、增殖性细胞被称为
A.
造血细胞
B.
造血祖细胞
C.
间充质干细胞
D.
基质细胞
E.
原始细胞
【判断题】复合泊松过程是独立增量过程,但不一定是计数过程
A.
正确
B.
错误
【简答题】在两位小数□0.□5的□里填上合适的数字。 (1)使它尽可能大,应是□0.□5; (2)使它最接近51,应是□0.□5。
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