【单选题】在半导体制造中,通常使用湿法刻蚀去除晶体背面的硅,蚀刻速率是该过程中需要重点关注的特征。为评估两种不同的蚀刻溶液,实验人员随机选择了8个晶片,将每个晶片分为两半,其中一半用溶液1蚀刻,另一半用溶液2蚀刻,且晶片在不同溶液之间的分配是随机的。下列是观察到的蚀刻速率(单位:密尔/分)。溶液1:9.9,9.4,10.0,10.3,10.6,10.3,9.3,9.8。溶液2:10.2,10.0,10.7,...
【单选题】患儿男,4岁,水肿,尿少一个月。查体:全身水肿明显,血压90/50mmHG,尿蛋白(++++)。每高倍镜视野红细胞1~2个,目前患儿最主要的护理问题是
【单选题】患儿,男,4岁,水肿,尿少1个月。查体:全身水肿明显,血压90/50mmH9,尿蛋白(++++),每高倍镜视野红细胞1一2个。目前患儿最主要的护理问题是
【单选题】在半导体制造中,通常使用湿法刻蚀去除晶体背面的硅,蚀刻速率是该过程中需要重点关注的特征。为评估两种不同的蚀刻溶液,实验人员随机选择了8个晶片,将每个晶片分为两半,其中一半用溶液1蚀刻,另一半用溶液2蚀刻,且晶片在不同溶液之间的分配是随机的。下列是观察到的蚀刻速率(单位:密尔/分)。溶液1:9.9,9.4,10.0,10.3,10.6,10.3,9.3,9.8。溶液2:10.2,10.0,10.7,...
【单选题】患儿男,4岁,水肿,尿少一个月。查体:全身水肿明显,血压90/50mmHg,尿蛋白(++++)每高倍镜视野红细胞1-2个,目前患儿最主要的护理问题是